SK하이닉스는 24일 '2024년 3분기 실적설명회'를 통해 "HBM은 고대역폭과 고성능 구현 위해 일반 D램 보다 다이 사이즈가 크다. 일반 D램 제품과 동일한 비트 생산 위해서는 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요하다. HBM3E는 동일 용량 DDR 제품 보다 2~3배 가량 추가 웨이퍼 캐파가 필요하다. 12단은 8단 보다 패키징 난도 늘어나면서 성숙 수율도 떨어져 더 많은 캐파를 필요로 한다. HBM4로 전환되면 고성능 특성 구현 위해 다이 사이즈는 더 커지기 때문에 일반 D램과의 전환율은 3배 이상으로 증가할 것으로 보인다. 중장기적으로 D램 수요는 연평균 10% 중후반대 전망되고 있으며 HBM는 D램 평균을 크게 상회할 것으로 예상한다. HBM 수요 증가와 전환율 상승 감안하면 동일 비트 생산 위해 필요한 웨이퍼는 HBM 세대 변화에 따라 더 많이 요구될 것으로 보이고 일반 D램 공급량은 계속해서 제한될 것으로 예상된다"고 말했다.