DB하이텍, 5G향 RF 사업 확대…공정 기술 확보

130∙110nm 기술 기반 공정 개발 완료

스마트폰∙IoT 등 무선 통신 제품 다양하게 활용

경기도 부천 DB하이텍 공장 전경.ⓒDB하이텍

DB하이텍이 5세대이동통신(5G)향 무선주파수(RF) 관련 사업을 확대한다.

DB하이텍(대표 최창식)은 130나노미터(nm ∙1나노는 10억분의 1미터)·110nm 기술을 기반으로 RF SOI (Silicon-on-Insulator)와 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 IT기기간 송신·수신을 담당하며 스마트폰과 사물인터넷(IoT) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다.

보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA·Low Noise Amplifier), 전력증폭기(PA·Power Amplifier) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.

무선통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파·고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. 이에 따라 RF프론트엔드 시장은 2019년 124억달러 수준에서 2025년 217억달러 수준까지 가파른 성장이 전망된다.

RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 초점을 맞추고 있는 제품은 스위치와 저잡음증폭기(LNA·Low Noise Amplifier) 이다.

스위치는 주파수를 송수신할 때 온오프(On/Off) 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다.

특히 130nm 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우, 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다.

LNA는 120GHz Cut-off frequency(Ft)까지 지원 가능하며 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

110nm 기술을 기반으로 한 RF HRS(High Resistivity Substrate·>1Kohm) 공정은 우수한 가격경쟁력을 가지고 있는데 올해 상반기 내 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 개발 중이다.

회사는 “팹리스(Fabless·반도체 설계전문) 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다”며 “특히 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW를 운영하고 있다”고 말했다.